Pseudomorphic High Electron Mobility Transistor

英文缩写：PHEMT

英文全称：Pseudomorphic High Electron Mobility Transistor

中文释义：高电子迁移率晶体管

中文拼音：gāo diàn zǐ qiān yí lǜ jīng tǐ guǎn

所属分类：Academic & Science

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